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Flash Memory
SPI NOR
- 超低功耗，深度睡眠電流典型值低至 60nA
- BP位元保護、OTP 保護、獨立block區域保護確保代碼安全
- 高可靠性，確保 10 萬次擦寫，資料保存時間長達20年
- 支持 1.65~2.1V、2.7~3.6V、1.65~3.6V 寬電壓，容量 1Mb~1Gbit
- DFN 1.2 x 1.2 x 0.40mm，2 x 3 x 0.40mm，4 x 3 x 0.55mm 等小尺寸封裝
- 提供 KGD 產品與服務支援 SiP 合封需求
SPI NAND
- 2.7V~3.6V 和 1.7V~1.95V 工作電壓，容量 1Gbit~4Gbit
- 相比串口 NOR 快閃記憶體更快的寫入性能
- 四線資料輸送量達到 480Mbit/s
- 錯誤校驗解決不同的 NAND 的相容
- 提供 WSON8 8x6mm BGA24 封裝選擇
- 高可靠性，資料保持時間 10 年
- 支援 -40°C~85°C 工業溫度條件
Parallel NAND
- 支持 2.7V~3.6V 、1.7V~1.95V 電壓
- 8bit ECC Requirement 或內置 ECC，靈活搭配主控的不同應用
- 支援 Auto Page Program、Auto Block Erase、Page Copy 等功能
- 業界創新的小型化 BGA24 6x8mm 封裝
SD NAND
- 3.3V LGA8 (WSON) 8x6mm 小封裝尺寸
- SD2.0 的協定標準，能夠支援 class10 的存取速度
- 1Gbit~8Gbit 多個選擇滿足產品不同容量的需求
- 支援 -30°C~85°C 工作溫度條件
8bit MCU
- 主頻為 16.25MHz
- Flash 容量最大支援 64K byte，RAM 容量最大支援 2K byte
- 工作電壓範圍從 2.8V 至 5.5V，工作溫度支援 -40~85℃
- 封裝類型有 LQFP 32pin、44pin、52pin
- 擁有 100K 擦寫壽命，20年資料保持力